RU 2265915 C1, 10.12.2005. RU 2217845 C1, 27.11.2003. RU 2127471 C1, 10.03.1999. SU 434872 A, 24.12.1976. US 3948682 A, 06.04.1976.
Имя заявителя:
Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) (RU)
Изобретатели:
Арбузов Юрий Дмитриевич (RU) Евдокимов Владимир Михайлович (RU) Стребков Дмитрий Семенович (RU) Шеповалова Ольга Вячеславовна (RU)
Патентообладатели:
Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) (RU)
Реферат
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит двухстороннюю рабочую поверхность, подложку, полупроводниковые планарные слои p- и n-типа, просветляющее покрытие и металлические контакты с двух сторон генератора. Конфигурация и площадь контактов на тыльной стороне совпадают в плане с конфигурацией и площадью контактов с рабочей стороны. Толщина базовой области не превышает диффузионную длину неосновных носителей заряда. Генератор выполнен из m последовательно соединенных по всей плоскости диодных планарных n+-p-p+ (p+-n-n+; n-p-p+; p-n-n+); или n-p структур из полупроводникового материала (m=3, 5, 7 (2i-1), где i=1, 2, 3 ), один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышает диффузионной длины неосновных носителей тока в базовой области, а толщины диодных структур, равноудаленных от лицевой и тыльной поверхностей генератора, совпадают и увеличиваются при удалении от лицевой и тыльной поверхностей обратно пропорционально максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале базы диодной структуры. Так же согласно изобретению преложен еще один вариант выполнения полупроводникового фотоэлектрического генератора и два варианта способа изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора. Изобретение обеспечивает увеличение рабочего напряжения и повышение эффективности преобразования электромагнитного излучения и возможность работы с концентрированным излучением. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента