Jutao Jiang at all. Infrared Physics and technology. 45 (2004), 143-151. RU 2207660 C1, 27.06.2003. SU 1769635 A1, 20.01.2008. US 5304500 A, 19.04.1994. US 3373481 A, 19.03.1968. JP 63296272 A, 02.12.1988.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)
Изобретатели:
Акимов Владимир Михайлович (RU) Болтарь Константин Олегович (RU) Васильева Лариса Александровна (RU) Климанов Евгений Алексеевич (RU) Лисейкин Виктор Петрович (RU) Поварихина Вера Васильевна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков для микросборок интегральных схем или ИК-фотодиодных матриц методом перевернутого кристалла. Сущность изобретения: для изготовления индиевых столбиков на временную кремниевую подложку наносят слой фоторезиста и слой индия. Проводят фотолитографическую обработку по слою индия с последующей сушкой в термостате или на горячей подложке. Режут временную подложку на кристаллы-доноры и осуществляют травление слоя индия до фоторезиста, в результате чего на кристалле-доноре сформировались индиевые столбики. Экспонируют кристаллы УФ-излучением и растворяют облученные слои фоторезистивной маски с индиевых столбиков и фоторезист между индиевыми столбиками. При этом фоторезист под столбиками не растворяется. Производят стыковку контактов рабочего кристалла и индиевых столбиков кристалла-донора, после чего состыкованные кристаллы обрабатываются в растворителе фоторезиста так, что кристалл-донор отделяется и индиевые столбики остаются на рабочем кристалле. Необходимую высоту индиевых столбиков на рабочем кристалле можно обеспечить неоднократным повторением переноса индиевых столбиков с кристалла-донора. Изобретение позволяет сохранить исходные электрофизические свойства ИК-материала. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента