RU 2186447 С2, 27.07.2002. RU 2159483 C1, 20.11.2000. RU 60269 U1, 10.01.2007. US 2007145406 A1, 28.06.2007. US 2007085097 A1, 19.04.2007. US 2006226434 A1, 12.10.2006. US 6121638 A, 19.09.2000.
Имя заявителя:
САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД. (KR)
Изобретатели:
ПАРК Хее Сеок (KR) СИНИЦЫН Михаил Алексеевич (RU) ЛУНДИН Всеволод Владимирович (RU) САХАРОВ Алексей Валентинович (RU) ЗАВАРИН Евгений Евгеньевич (RU) ЦАЦУЛЬНИКОВ Андрей Федорович (RU) НИКОЛАЕВ Андрей Евгеньевич (RU) ЛИ Сеонг Сук (KR)
Патентообладатели:
САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД. (KR)
Реферат
Изобретение относится к нитридным полупроводникам р-типа проводимости и светоизлучающим приборам с их использованием. Сущность изобретения: способ изготовления нитридного полупроводника р-типа, включающий в себя: выращивание нитридного полупроводника р-типа с многослойной структурой, имеющей множество высококонцентрированных тонких пленок и множество низкоконцентрированных тонких пленок, расположенных попеременно; отжиг нитридного полупроводника р-типа для улучшения его электрических свойств, при этом нитридный полупроводник р-типа с многослойной структурой выращивают путем модулированного легирования, при котором поток источника легирующей примеси р-типа для высококонцентрированных тонких пленок по меньшей мере в два раза больше, чем поток источника легирующей примеси р-типа для низкоконцентрированных тонких пленок. Также предлагается нитридный полупроводниковый светоизлучающий прибор с активным слоем из указанного нитридного полупроводника р-типа. Изобретение обеспечивает получение многослойного нитридного полупроводника р-типа с повышенной проводимостью и высокой кристалличностью. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 11 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента