JP 2003002687 А, 08.01.2003. KR 20050006428 А, 17.01.2005. ПЛЕХАНОВ А.И. и др. Нанокристаллизация монокристаллических пленок опала и пленочных опаловых гетероструктур. - Российские нанотехнологии, 2006, 1-2, т.1, с.245-251.
Имя заявителя:
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН (RU)
Изобретатели:
Григорьев Сергей Валентинович (RU) Напольский Кирилл Сергеевич (RU) Саполетова Нина Александровна (RU) Елисеев Андрей Анатольевич (RU) Лукашин Алексей Викторович (RU) Третьяков Юрий Дмитриевич (RU) Григорьева Наталья Анатольевна (RU)
Патентообладатели:
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к области получения пленок фотонных кристаллов. Формирование пленок фотонных кристаллов осуществляют путем осаждения монодисперсных микросфер коллоидных частиц из суспензии на расположенные вертикально в ней проводящие подложки, при этом в качестве монодисперсных микросфер используют коллоидные частицы из полистирола, полиметилметакрилата или оксида кремния, а осаждение осуществляют при температуре суспензии (60±3)°С при одновременной подаче к подложкам разности потенциалов 1 В. В качестве проводящих подложек могут быть использованы стекла с проводящим покрытием из индий-оловянного оксида (ITO), стекло с напыленной пленкой золота и др. Изобретение позволяет направленно получать однородные и высокоупорядоченные структуры фотонных кристаллов на больших площадях с высокой скоростью роста. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента