US 6361668 B1, 26.03.2002. RU 2242821 C2, 20.12.2004. RU 2125117 C1, 20.01.1999. RU 2220226 C1, 27.12.2003. JP 2000-182877 А, 30.06.2000. JP 06-228749 A, 16.08.1994. JP 03-236468 A, 22.10.1991.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (RU)
Изобретатели:
Кривобоков Валерий Павлович (RU) Юрьева Алена Викторовна (RU) Юрьев Юрий Николаевич (RU) Янин Сергей Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к плазменной технике, в частности к дуальной магнетронной распылительной системе, и может найти применение для нанесения тонких пленок из металлов и их соединений в различных отраслях техники. Дуальная магнетронная распылительная система содержит расположенные в одной плоскости рядом друг с другом два планарных магнетрона, каждый из которых содержит корпус, магнитную систему и плоскую мишень, и систему питания с изменяемой полярностью. Оба магнетрона размещены в дополнительном общем корпусе изолировано от него. Между планарными магнетронами расположена дополнительная магнитная система, полярность которой совпадает с полярностью центрального магнита магнитной системы каждого магнетрона. Магнетроны подключены к системе питания с изменяемой полярностью таким образом, что в один и тот же момент времени полярность напряжения на магнетронах противоположна. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента