Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, в частности к светодиодам на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы. В полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуре на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlxInyGa1-(x+y)N (0х1, 0у1) с р-n-переходом, содержащей последовательность эпитаксиальных слоев, образующих область, имеющую р-тип проводимости, в которой сформирована активная область, имеющая ряд квантовых ям, и область, имеющую n-тип проводимости, в которой размещен токоограничивающий слой, согласно изобретению толщины разделяющих квантовые ямы барьеров составляют величину порядка нескольких нанометров. Изобретение обеспечивает повышение внешней квантовой эффективности за счет снижения вероятности безизлучательной Оже-рекомбинации. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента