SU 1708097 A1, 27.12.1996. RU 1664083 С, 27.01.1995. SU 633389 A1, 28.02.1994. EP 0311173 A1, 12.04.1989. FR 2382094 A, 22.09.1978. JP 56074930 A, 20.06.1981. CN 1167342 A, 10.12.1997.
Имя заявителя:
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. Сущность изобретения: в способе защиты поверхности кристаллов р-n-переходов на чистую полупроводниковую поверхность кристалла с р-n-переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которой входят 63% окиси кремния - SiO2; 20% окиси бора - В2О3; 7,5 окиси лития - Li2О3 и 5% окиси алюминия - Аl2О3. После термообработки в вакууме при температуре 280±10°С в течение 15±5 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 1,0 мкм. После чего на поверхности кристаллов наращивается пленка SiO2 разложением этилокремниевой кислоты. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 800°С.