Addamiano A., Spragye J.A. «Buffer-layer» technique for the growth of single crystal SiC on Si. J. Appl. Phys. Lett. Vol.44. 1. 1974. p.525-527. SU 1710604 A1, 07.02.1992. US 4855254 A, 08.08.1989. US 5879450 A, 09.03.1999. JP 2005223206 A, 18.08.2005. JP 2005159031 A, 16.06.2005. JP 63008296 A, 14.01.1988.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "СиЦ-сенсор" (RU)
Изобретатели:
Чепурнов Виктор Иванович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "СиЦ-сенсор" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и может быть использовано преимущественно для изготовления высокотемпературных датчиков физических величин. Сущность изобретения: в способе самоорганизующейся эндотаксии моно 3С-SiC на кремниевой подложке получают карбидокремниевую монокристаллическую пленку кубической модификации, сопряженную с монокристаллической подложкой кремния той же кристаллографической ориентации способом, включающим операцию формирования пленки за счет атомов кристаллической решетки подложки при температуре, поддерживаемой ВЧ-излучением в диапазоне от 1360 до 1380°С в потоке водорода при нормальном давлении, газовый поток водорода расходом 0,3-0,5 л/мин подают в секцию контейнера с температурой 1000-1200°С, а затем в последовательно расположенные секции с температурой 1360-1380°С, причем градиент температур в этой зоне 3-5 градусов, подложки кремния располагают в секциях из поликристаллического карбида кремния, а секция в низкотемпературной зоне выполнена из графита, покрытого поликристаллическим карбидом кремния, градиент температуры по контейнеру создают тепловыми экранами. Изобретение обеспечивает использование ресурсо- и энергосберегающей технологии при выращивании гетероструктур 3С-SiC/Si. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента