Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 
Главная       Патентный отдел       Технологии       Справочник ГРНТИ       Прием       Наши координаты       Обратная связь      

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

Номер публикации патента: 2369669

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007130525/15 
   Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 6 
Основные коды МПК: C30B019/12   C30B025/18   C30B029/10   C30B029/38    
Аналоги изобретения: RU 2209861 С2, 10.08.2003. RENE FRANCHY, Growth of thin, crystalline oxide, nitride and oxynitride films on metal and metal alloy surfaces, «Surface Science Reports", 2000, vol.38, no.6-8, p.p.195-294, abstract. 

Имя заявителя: Айтхожин Сабир Абенович (RU) 
Изобретатели: Айтхожин Сабир Абенович (RU) 
Патентообладатели: Айтхожин Сабир Абенович (RU) 

Реферат


Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. В качестве материала подложек для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия предложен ряд соединений - монокристаллы интерметаллидов, выбранные из группы, включающей силицид марганца (MnSi), силицид палладия (Pd2Si), станнат марганца (Mn3Sn), станнат железа (Fe3Sn), фосфид ванадия (VP), цирконид алюминия (Zr3Al) с умеренными температурами плавления. Преимущества этого класса соединений в сравнении с известными заключаются в повышении качества выращиваемых на подложках из указанных соединений пленок нитрида галлия.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь 		Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"