US 2006113545 A1, 01.06.2006. US 2007284696 A1, 13.12.2007. JP 7237998 A, 12.09.1995. RU 2272090 C2, 20.03.2006.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
Изобретатели:
Арендаренко Александр Андреевич (RU) Конов Виталий Иванович (RU) Ральченко Виктор Григорьевич (RU) Данилин Валентин Николаевич (RU) Петров Александр Владимирович (RU) Васильев Андрей Георгиевич (RU) Колковский Юрий Владимирович (RU) Жукова Татьяна Александровна (RU) Сидоров Владимир Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие. Изобретение обеспечивает упрощение технологии изготовления приборов, повышение их мощности и, практически, устраняет изгиб структуры. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем выращивание на базовой подложке поликристаллического алмаза, эпитаксиальных вспомогательных слоев и эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, на поверхности базовой подложки формируют вспомогательные эпитаксиальные слои, один из которых является базовым для выращивания эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, на вспомогательных эпитаксиальных слоях выращивают поликристаллический алмаз, а после выращивания алмаза базовую подложку удаляют вместе с вспомогательными эпитаксиальными слоями до базового слоя, на котором выращивают эпитаксиальную структуру полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов. Для выращивания эпитаксиальной структуры III-нитридов предпочтительно в системе вспомогательных эпитаксиальных слоев в качестве базового слоя выращивать слой
Поиск патентов
Получить полное описание патента