US 6576533 В2, 10.07.2003. RU 2187172 C1, 10.08.2002. EP 0874405 A2, 28.10.1998. US 6656269 В2, 02.12.2003. US 6623560 В2, 23.09.2003. WO 03/025263 A1, 27.03.2003.
Изобретение относится к полупроводниковым структурам, полученным на полупроводниковой подложке с пониженной плотностью пронизывающих дислокаций. Полупроводниковая подложка (1) по настоящему изобретению выполнена из нитридов металлов III группы, имеющих кристаллическую структуру вюрцита, и выращена в паровой фазе либо на инородной подложке (2) с ориентацией (0001), с параметрами решетки, не соответствующими веществам полупроводниковой подложки, либо на существующем сильно дислоцированном слое (3) с ориентацией (0001) из веществ полупроводниковой подложки, и имеет сильно пониженную плотность дислокаций. Согласно настоящему изобретению для понижения плотности дислокаций используют структуру, которая включает слой (4) перенаправления дислокаций, обеспечивающий намеренный наклон пронизывающих дислокаций (6) в направлении высокоиндексных кристаллографических плоскостей, имеющих кристаллографические индексы, отличные от (0001) и такие как индексы типа , чтобы увеличить вероятность взаимодействия дислокаций; и расположенный над указанным слоем (4) дислокаций слой (5) взаимодействия дислокаций, в котором пронизывающие дислокации (6) объединяются между собой, что приводит к пониженной плотности пронизывающих дислокаций на поверхности полупроводниковой подложки (7). 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента