Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ ДВОЙНЫХ ФТОРИДОВ

Номер публикации патента: 2367731

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007144898/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/12   C30B011/02   H01S003/16    
Аналоги изобретения: RANIERI I.M. et al. Growth of LiY(1-x-y)LuxNdyF4 crystals for optical application. "Journal of Crystal Growth", 2000, vol.209, p.p.906-910. RANIERI I.M. et al. Growth of LiY1-xLuxF4 crystals under CF4 atmosphere. "Journal of Alloy and Compounds", 2002, vol.344,p.p.203-206. КАМИНСКИЙ А.А. и др. Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров. - М.: Наука, 1989, стр.16, 17, 26. 

Имя заявителя: ГОУВПО Казанский государственный университет имени В.И. Ульянова-Ленина (RU),
Общество с ограниченной ответственностью "Ультрафиолетовые решения" (RU) 
Изобретатели: Семашко Вадим Владимирович (RU)
Низамутдинов Алексей Сергеевич (RU)
Наумов Александр Кондратьевич (RU)
Кораблева Стелла Леонидовна (RU)
Ефимов Владимир Николаевич (RU) 
Патентообладатели: ГОУВПО Казанский государственный университет имени В.И. Ульянова-Ленина (RU)
Общество с ограниченной ответственностью "Ультрафиолетовые решения" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано при создании активированных кристаллических материалов с прогнозируемыми свойствами для нужд фотоники, квантовой электроники и оптики. Оптический материал на основе кристаллов двойных фторидов структуры шеелита получают путем выращивания кристаллов из расплава ингредиентов LiF, YF3, LuF3, LnF3, где Ln - трехвалентные ионы цериевой подгруппы ряда лантаноидов, при этом в шихту для приготовления расплава вводят фторид лютеция в количестве от 50 мол.% до 90 мол.% по отношению к фториду иттрия. Изобретение позволяет получать кристаллы с повышенным коэффициентом распределения трехвалентных редкоземельных ионов цериевой подгруппы. 1 табл., 2 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"