CN 1896338 А, 17.01.2007. JP 6317822 А, 15.11.1994. CN 1085612 А, 20.04.1994. CHANG, FENG et al, Growth of large CsB3O5 crystals, "Journal of Crystal Growth", 2005, vol.277, N 1-4, p.p.298-302.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "ЭльСиЭс Фасилити Менеджмент" (RU)
Изобретатели:
Пыльнева Нинель Алексеевна (RU) Пыльнева Лада Леонидовна (RU) Косяков Виктор Иванович (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "ЭльСиЭс Фасилити Менеджмент" (RU)
Реферат
Изобретение относится к способу получения монокристаллов трибората цезия с нелинейно-оптическими свойствами, которые могут быть использованы в лазерной технике при изготовлении преобразователей частоты лазерного излучения. Кристаллы CsB3O5 (CBO) выращивают из расплава, который, наряду с оксидами бора В2О3 и цезия Cs2O, содержит добавку третьего компонента - оксида переходного металла, образующего химическое соединение с оксидом цезия, например оксида ванадия или оксида молибдена. Для приготовления шихты используют карбонат цезия, борную кислоту или оксид бора, оксиды молибдена или ванадия. Шихту, состав которой лежит в области первичной кристаллизации CBO на диаграмме плавкости Cs2O-В2О3 - третий компонент, готовят одним из двух способов. Первый заключается в твердофазном синтезе из компонентов или соединений, при разложении которых образуются компоненты смеси. Процесс приготовления шихты состоит из однократного или многократного изотермического отжига, охлаждения и измельчения продукта. При многократном процессе температура отжига на каждой последующей стадии выше, чем на предыдущей. Второй способ приготовления шихты состоит из перемешивания исходных реактивов в стеклянных емкостях с последующим расплавлением порциями в платиновом тигле в печи при температуре 800°С. Используется механическое перемешивание для получения однородного расплава. Выращивание кристаллов осуществляют на затравку методом снижения температуры со скоростью 0.1-2 град/сутки. Применение растворителя снижает температуру роста кристаллов на 150-270°С по сравнению с ростом из стехиометрического расплава и одновременно уменьшает вязкость расплава. Это позволяет избежать испарения
Поиск патентов
Получить полное описание патента