US 2004241039 A1, 02.12.2004. RU 2254971 C2, 27.06.2005. SU 323223 A1, 10.12.1971. TW 279281 В, 21.04.2007. US 5938862 А, 17.08.1999.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:
Зенин Виктор Васильевич (RU) Бокарев Дмитрий Игоревич (RU) Кастрюлев Александр Николаевич (RU) Ткаченко Александр Сергеевич (RU) Хишко Ольга Владимировна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано в микроэлектронике, в частности для пайки кремниевых кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов. Припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: олово 87,0-89,0; висмут 9,0-11,0; сурьма 0,8-1,2. Припой обладает хорошими технологическими свойствами, в частности, он имеет высокий коэффициент теплопроводности и хорошую смачиваемость паяемых покрытий кристалла и основания корпуса, а также обеспечивает повышение надежности силовых полупроводниковых приборов за счет увеличения стойкости паяных соединений при термоциклировании.
Поиск патентов
Получить полное описание патента