Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ТРАНЗИСТОРЕ ПО СХЕМЕ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ

Номер публикации патента: 2365028

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007144027/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03F003/189    
Аналоги изобретения: ЦЫКИН Г.С. Усилительные устройства. - М.: Связь, 1971, с.54, рис.3.5.в. SU 1075370 А, 23.02.1984. SU 1210203 А, 07.02.1986. SU 1810983 А1, 23.04.1993. US 2007188238 А1, 16.08.2007. 

Имя заявителя: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) (RU) 
Изобретатели: Прокопенко Николай Николаевич (RU)
Конев Даниил Николаевич (RU)
Будяков Алексей Сергеевич (RU) 
Патентообладатели: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве входных и промежуточных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения (в высокочастотных и сверхвысокочастотных усилителях, фильтрах и т.д.). Технический результат заключается в повышении стабильности статического режима. Высокочастотный усилитель на транзисторе по схеме с общей базой содержит входной транзистор (1), эмиттер которого является низкоомным входом (2) усилителя, связанным с источником сигнала (3), коллектор - соединен с выходом (4) усилителя и цепью нагрузки (5), а база - связана с цепью высокочастотной коррекции (6). В схему введены первый (7) дополнительный транзистор, вспомогательный усилитель тока (8) и токостабилизирующий двухполюсник (9), причем эмиттер первого дополнительного транзистора (7) соединен с эмиттером входного транзистора (1), базы первого (7) дополнительного транзистора и первого (1) входного транзистора объединены и подключены к выходу вспомогательного усилителя тока (8), коллектор первого дополнительного транзистора (7) соединен со входом вспомогательного усилителя тока (8) и токостабилизирующим двухполюсником (9). 5 з.п. ф-лы, 9 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"