Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОДЛОЖКИ

Номер публикации патента: 2364574

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2006130800/03 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C03C023/00    
Аналоги изобретения: US 5135775 А, 04.08.1992. RU 2030807 C1, 10.03.1995. SU 1110212 A1, 07.03.1987. EP 0149408 A2, 24.07.1985. US 2003064198 A1, 03.04.2003. WO 01/82355 A2, 01.11.2001. 

Имя заявителя: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС (FR) 
Изобретатели: НАДО Николя (FR)
МАТТМАН Эрик (FR)
РУССО Жан-Поль (FR)
ЛЕРГЕН Маркус (DE) 
Патентообладатели: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС (FR) 
Приоритетные данные: 28.01.2004 FR 04 00787 

Реферат


Изобретение относится к способу очистки подложки и к нанесению на нее покрытий. Техническим результатом изобретения является обеспечение эффективности очистки подложки. Способ получения покрытия на стеклянной подложке включает в себя процесс непрерывной вакуумной очистки подложки, включающий следующие операции: выбирают вещество с низкой эффективностью распыления и химически активное по отношению к загрязнениям; с помощью, по меньшей мере, одного линейного источника ионов, генерирующего коллимированный пучок ионов, генерируют плазму из газовой смеси, содержащей преимущественно это вещество с низкой эффективностью распыления, в частности, на основе кислорода; подвергают, по меньшей мере, одну часть поверхности упомянутой подложки, необязательно связанную со слоем, воздействию упомянутой плазмы так, что упомянутое ионизированное вещество удаляет, по меньшей мере, частично за счет химической реакции, загрязнения, возможно адсорбированные или находящиеся на упомянутой части поверхности. После вакуумной очистки подложки следует, без прерывания вакуума, по меньшей мере, одна фаза вакуумного осаждения, по меньшей мере, одного тонкого слоя на, по меньшей мере, одну часть поверхности упомянутой подложки. 8 н. и 24 з.п. ф-лы, 2 табл., 1 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"