US 5223043 А, 29.07.1993. US 6281426 B1, 28.08.2001. WO 95/13626 A1, 18.05.1995. RU 1003702 С, 15.05.1994.
Имя заявителя:
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Калюжный Николай Александрович (RU) Лантратов Владимир Михайлович (RU) Минтаиров Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, в частности к многопереходным солнечным фотоэлементам, которые преобразуют энергию солнечного излучения в электрическую, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии. Сущность изобретения: многослойный фотопреобразователь содержит последовательно расположенные сплошной металлический контакт, подложку, выполненную из p+-GaAs, нижний элемент, туннельный диод, верхний элемент и металлическую контактную сетку с контактным подслоем. Нижний элемент включает последовательно расположенные p-слой тыльного потенциального барьера, базовый p-слой, эмиттерный n-слой и n-слой широкозонного окна. Туннельный диод включает n++-слой и p++-слой, выполненный из AIGaAs. Верхний элемент включает p-слой тыльного потенциального барьера, базовый p-слой толщиной 0,35-0,70 мкм, эмиттерный n-слой и n-слой широкозонного окна. Изобретение позволяет улучшить параметры многослойного фотопреобразователя, работающего как в условиях космоса, так и в наземных условиях, посредством повышения тока, генерируемого такими элементами. 9 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента