СОЛОВЬЕВ Н.Н. и др. Электронный парамагнитный резонанс и структура кристаллов молибдата цинка ZnMoO4. - Журнал структурной химии, 1979, 20, 3, 448-455. US 6043940 А, 28.03.2000. MIKHAILIK V.B. et al, Optical and luminescence studies of ZnMoO4 using vacuum ultraviolet synchrotron radiation, "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research", 2006, A, 562, 513-516.
Имя заявителя:
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Ивлева Людмила Ивановна (RU) Воронина Ирина Сергеевна (RU) Березовская Людмила Юрьевна (RU) Лыков Павел Андреевич (RU) Осико Вячеслав Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к выращиванию высокотемпературных неорганических монокристаллов и может быть использовано в квантовой электронике и физике элементарных частиц, в частности, для создания детекторов процесса двойного безнейтринного бета-распада. Выращивание осуществляют путем вытягивания монокристаллов молибдата цинка ZnMoO4 из расплава исходной шихты в тигле на затравку. В качестве исходной шихты используют смесь оксидов ZnO и МoO3, взятых в стехиометрическом соотношении с избытком М0О3 в количестве от 1,0 до 7,0 вес.%, а выращивание осуществляют при объемной скорости кристаллизации не более 0,4 см3/час. При выращивании методом Чохральского скорость вытягивания составляет 0,3-3,0 мм/час при осевом температурном градиенте на фронте кристаллизации 80-100°/см. При выращивание методом Киропулоса скорость вытягивания составляет не более 0,5 мм/час при поддержании диаметра кристалла от 80 до 95% диаметра тигля. Предложенный способ позволяет получать крупные монокристаллы (размером 1 см3 и более), имеющие оптическое качество, пригодные для работы в качестве сцинтилляционных детекторов и оптических элементов. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента