Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МОЛИБДАТА ЦИНКА

Номер публикации патента: 2363776

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007146621/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/02   C30B017/00   C30B029/32    
Аналоги изобретения: СОЛОВЬЕВ Н.Н. и др. Электронный парамагнитный резонанс и структура кристаллов молибдата цинка ZnMoO4. - Журнал структурной химии, 1979, 20, 3, 448-455. US 6043940 А, 28.03.2000. MIKHAILIK V.B. et al, Optical and luminescence studies of ZnMoO4 using vacuum ultraviolet synchrotron radiation, "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research", 2006, A, 562, 513-516. 

Имя заявителя: Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (RU) 
Изобретатели: Ивлева Людмила Ивановна (RU)
Воронина Ирина Сергеевна (RU)
Березовская Людмила Юрьевна (RU)
Лыков Павел Андреевич (RU)
Осико Вячеслав Васильевич (RU) 
Патентообладатели: Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (RU) 

Реферат


Изобретение относится к выращиванию высокотемпературных неорганических монокристаллов и может быть использовано в квантовой электронике и физике элементарных частиц, в частности, для создания детекторов процесса двойного безнейтринного бета-распада. Выращивание осуществляют путем вытягивания монокристаллов молибдата цинка ZnMoO4 из расплава исходной шихты в тигле на затравку. В качестве исходной шихты используют смесь оксидов ZnO и МoO3, взятых в стехиометрическом соотношении с избытком М0О3 в количестве от 1,0 до 7,0 вес.%, а выращивание осуществляют при объемной скорости кристаллизации не более 0,4 см3/час. При выращивании методом Чохральского скорость вытягивания составляет 0,3-3,0 мм/час при осевом температурном градиенте на фронте кристаллизации 80-100°/см. При выращивание методом Киропулоса скорость вытягивания составляет не более 0,5 мм/час при поддержании диаметра кристалла от 80 до 95% диаметра тигля. Предложенный способ позволяет получать крупные монокристаллы (размером 1 см3 и более), имеющие оптическое качество, пригодные для работы в качестве сцинтилляционных детекторов и оптических элементов. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"