|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛЫХ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ НА ОСНОВЕ СПОСОБА ЧОХРАЛЬСКОГО И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2355831 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B029/06 C30B029/66 | | Аналоги изобретения: | DE 1926500 A1, 26.11.1970. SU 134402 A1, 01.01.1960. DE 962553 C, 25.04.1957. JP 2005067969 A, 17.03.2005. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU),Открытое Акционерное Общество "Подольский Химико-Металлургический Завод" (RU) | | Изобретатели: | Кожитов Лев Васильевич (RU)
Кондратенко Тимофей Тимофеевич (RU)
Крапухин Всеволод Валерьевич (RU)
Казимиров Николай Иванович (RU)
Сорокин Сергей Леонидович (RU)
Тарадей Владимир Александрович (RU)
Блиев Александр Петрович (RU)
Силаев Иван Вадимович (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU)
Открытое Акционерное Общество "Подольский Химико-Металлургический Завод" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии выращивания профилированных монокристаллов кремния в виде полых тонкостенных цилиндров для изготовления эпитаксиальных цилиндрических (непланарных) структур мощных силовых полупроводниковых приборов. Способ заключается в том, что герметизируют и вакуумируют вакуумную камеру с расположенными в ней тепловым узлом и полой цилиндрической затравкой монокристалла кремния, подают в нее в течение всего процесса роста полых цили
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента