Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНФРАКРАСНАЯ ЛАЗЕРНАЯ МАТРИЦА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ КАЛИЯ И РУБИДИЯ ПЕНТОБРОМПЛЮМБИТА

Номер публикации патента: 2354762

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008107383/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/12   C30B011/02   H01S003/16    
Аналоги изобретения: RADEMAKER, Katja et al. Laser activity at 1, 18, 1, 07, and 0,97 urn in the low-phonon-energy hosts KPb2Вr5 and Rb Pb2Br5 doped with Nd3+. "Optics Letters", 30 (7), 2005, 729-731, STN БД СА, AN 143:355812, abstract. ISAENKO, Ludmila I. et al. New low-phonon frequency crystal based on 

Имя заявителя: Институт геологии и минералогии Сибирского отделения Российской академии наук (ИГМ СО РАН) (RU) 
Изобретатели: Исаенко Людмила Ивановна (RU)
Мельникова Светлана Владимировна (RU)
Меркулов Александр Анатольевич (RU)
Пашков Виктор Михайлович (RU)
Тарасова Александра Юрьевна (RU) 
Патентообладатели: Институт геологии и минералогии Сибирского отделения Российской академии наук (ИГМ СО РАН) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к получению и использованию новой инфракрасной лазерной матрицы для инфракрасной оптики. Предлагается инфракрасная лазерная матрица на основе кристаллов калия и рубидия пентобромплюмбита, которые описываются формулой КXRb1-XPb2Br5, где х изменяется в диапазоне 0,2х0,5. Полученные кристаллы характеризуются высокой прозрачностью, не рассеивают лазерное излучение, обладают низкими энергиями колебания кристаллической решетки и имеют высокий коэффициент внедрения РЗЭ в матрицу, ч


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"