|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛИТОГРАФИЧЕСКОЙ МАСКИ ДЛЯ LIGA - ТЕХНОЛОГИИ |  |
Номер публикации патента: 2350996 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G03F007/00 | | Аналоги изобретения: | E.W.BECKER, W.EHRFELD, P.HAGMAN, A.MANER, D.MUNCHMEYER, FABRICATION OF MICROSTRUCTURES WITH HIGH ASPECT RATIOS AND GREAT STRUCTURAL HEIGHTS BY SYNCHROTRON RADIATION LITHOGRAPHY GALVANOFORMING AND PLASTIC MOULDING (LIGA-PROCESS), MICROELECTRONIC ENGINEERING, 4, 1, 1986, 35-56. JP 7135156 A, 23.05.1995. JP 2005175406 A, 30.06.2005. JP 11297593 A, |
| Имя заявителя: | Институт ядерной физики СО РАН (RU) | | Изобретатели: | Генцелев Александр Николаевич (RU)
Гольденберг Борис Григорьевич (RU)
Кондратьев Владимир Иванович (RU)
Петрова Екатерина Владимировна (RU) | | Патентообладатели: | Институт ядерной физики СО РАН (RU) |
Реферат | |
Использование: для изготовления литографической маски. Сущность заключается в том, что осуществляют формирование посредством рентгеновской литографии резистивной маски на рабочей поверхности несущей мембраны или обрабатываемой подложки, являющихся заготовками литографической маски и выполненных из материалов с низким атомным весом, и процессы электроосаждения через сформированную резистивную маску металлов с большим атомным весом, при этом на рабочую поверхность несущей мембраны или обрабатываемо
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента