На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СТРУКТУРЫ "НАНОМЕТРОВАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА - ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИЛИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА" | |
Номер публикации патента: 2349904 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | G01N022/00 | Аналоги изобретения: | RU 2256168 С2, 10.07.2005. US 2005174664 А, 11.08.2005. RU 2221989 С2, 20.01.2004. CN 1996029, 11.07.2007. |
Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU) | Изобретатели: | Усанов Дмитрий Александрович (RU) Скрипаль Александр Владимирович (RU) Абрамов Антон Валерьевич (RU) Боголюбов Антон Сергеевич (RU) Скворцов Владимир Сергеевич (RU) Мерданов Мердан Казимагомедович (RU) | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области технологии тонких пленок и многослойных наноструктур и может быть использовано в микро- и наноэлектронике и оптике. Техническим результатом является расширение диапазона измеряемых толщин и класса исследуемых материалов путем увеличения диапазона изменения коэффициентов отражения и прохождения, а также увеличение чувствительности и возможность проведения измерений в узком частотном диапазоне.
|