|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ InGaN ПОСРЕДСТВОМ ПЛАЗМЕННОГО МВЕ |  |
Номер публикации патента: 2344509 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | Brandt O. Applied Physics Letters, vol.83, p.p.90-92. RU 2132890 C1, 10.07.1999. RU 60269 U1, 10.01.2007. US 6309459 B1, 30.10.2001. US 7115167 B2, 03.10.2006. GB 2361354 A, 17.10.2001. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД. (KR),ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ А.Ф. ИОФФЕ РАН (RU) | | Изобретатели: | КИМ Бум Дзоон (KR)
КОИКЕ Масайоси (JP)
КИМ Мин Хо (KR)
Иванов Сергей Викторович (RU)
Жмерик Валентин Николаевич (RU) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО.
ЛТД. (KR)
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ А.Ф. ИОФФЕ РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к способу выращивания многослойной структуры на основе InGaN. Сущность изобретения: в способе выращивания многослойной структуры на основе InGaN подложку размещают в ростовой камере аппарата плазменной молекулярно-пучковой эпитаксии, оборудованного активатором азота, для подготовки к выращиванию слоя нитрида элемента III группы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента