|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ОЛОВОМ |  |
Номер публикации патента: 2344209 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B031/20 C30B033/02 C30B029/40 | | Аналоги изобретения: | БОЙКО В.М. и др. Изменение структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и термообработок. «ФТП», т.40, вып.7, 2006, с.769-776. БРУДНЫЙ В.Н. и др. Электрофизические свойства и предельное положение уровня Ферми в InSb, облученном протонами. «ФТП», т.38, вып.7, 2004, с.802-806. КОЛИН Н.Г. и др. Электрофизические свойства ядерно-легированного антимонида индия. «ФТП», т.33, вып.7, 1999, с.774-777. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (RU) | | Изобретатели: | Колин Николай Георгиевич (RU)
Меркурисов Денис Игоревич (RU)
Бойко Владимир Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV. Монокристаллы антимонида индия, легированного оловом, получают путем облучения полным спектром реакторных нейтронов с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Нагрев ведут со скоростью 20÷40 град/мин до температуры отжига, определяемой по формуле Тотж=450+(lgNSn-14)·7[°С], где NSn - концентрация вводимой легирующей примеси олова [см-3], отжиг проводят в течение 20 минут, а последующее охлаждение ведут со ск
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента