|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ |  |
Номер публикации патента: 2344205 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B011/00 | | Аналоги изобретения: | RU 2061803 C1, 10.06.1996. RU 2019585 C1, 15.09.1994. RU 2186160 C1, 27.07.2002. GB 1383400 A, 12.02.1974. |
| Имя заявителя: | Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Каневский Владимир Михайлович (RU)
Раевский Владимир Леонидович (RU)
Сытин Владимир Николаевич (RU)
Семенов Владимир Борисович (RU) | | Патентообладатели: | Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к установкам для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов и может быть использовано, например, для выращивания монокристаллов сапфира или граната. Установка для выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов содержит камеру роста, соединенную с секцией загрузки и приемной секцией, между которыми перемещается контейнер, размещенную внутри камеры роста нагревательную систему в виде верхней и нижней секций и систему тепловых экранов.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента