|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ |  |
Номер публикации патента: 2341594 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B011/02 C30B029/48 C30B033/02 | | Аналоги изобретения: | US 6299680 В1, 09.10.2001. SU 1431391 С0, 15.03.1994. JP 62288187 А, 15.12.1987. |
| Имя заявителя: | Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Иванов Юрий Михайлович (RU)
Поляков Александр Николаевич (RU)
Зенкова Марина Дмитриевна (RU)
Каневский Владимир Михайлович (RU)
Артемов Владимир Викторович (RU) | | Патентообладатели: | Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии производства кристаллов теллурида кадмия, которые могут быть использованы в радиолокационной технике, а также для изготовления элементов инфракрасной оптики. Способ изготовления монокристалла теллурида кадмия заключается в загрузке поликристаллической заготовки в тигель, герметизации и последующем вакуумировании тигля, расплавлении заготовки, охлаждении полученного слитка, его выдержки при определенной температуре и последующего охлаждения до комнатной температу
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента