Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПАРАТЕЛЛУРИТА ИЗ РАСПЛАВА ПО ЧОХРАЛЬСКОМУ

Номер публикации патента: 2338816

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007112365/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/20   C30B029/16    
Аналоги изобретения: KOBAYASHI N. Effect of fluid flow on the formation of gas bubbles in oxide crystals grown by the Czochralski method. "Journal of Crystal Growth", vol.54, N3, 1981, p.p.414-416. ВИНОКУРОВ В.А. и др. Моделирование процессов термогидродинамики при выращивании кристаллов парателлурита. «5-й Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых 

Имя заявителя: ГОУ ВПО Тверской государственный университет (RU),Колесников Александр Игоревич (RU),Смирнов Юрий Мстиславович (RU),Каплунов Иван Александрович (RU) 
Изобретатели: Колесников Александр Игоревич (RU)
Смирнов Юрий Мстиславович (RU)
Каплунов Иван Александрович (RU) 
Патентообладатели: ГОУ ВПО Тверской государственный университет (RU)
Колесников Александр Игоревич (RU)
Смирнов Юрий Мстиславович (RU)
Каплунов Иван Александрович (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии получения монокристаллов парателлурита из расплава методом Чохральского. Выращивание осуществляют из неподвижного тигля с программированием скоростей вытягивания и вращения затравки, при этом после выхода на требуемый диаметр вытягивание цилиндрической части кристалла осуществляют при скоростях вращения, соответствующих диапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, рассчитанных согласно формуле Re=·r(R-r)/, где - скорость вращения затравки (с-1), R - радиус тигля


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"