|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC) |  |
Номер публикации патента: 2333300 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B023/02 C30B029/10 C30B030/02 | | Аналоги изобретения: | RU 2260636 C1, 20.09.2005. SU 1297523 A1, 10.10.1996. US 4382837 A, 10.05.1983. ГУСЕЙНОВ М.К. и др. Получение пленок твердых растворов (SiC) |
| Имя заявителя: | Дагестанский государственный университет (RU) | | Изобретатели: | Курбанов Маликаждар Курбанович (RU)
Билалов Билал Аругович (RU)
Сафаралиев Гаджимет Керимович (RU) | | Патентообладатели: | Дагестанский государственный университет (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC)1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC).
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента