Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)

Номер публикации патента: 2333300

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2006114333/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B023/02   C30B029/10   C30B030/02    
Аналоги изобретения: RU 2260636 C1, 20.09.2005. SU 1297523 A1, 10.10.1996. US 4382837 A, 10.05.1983. ГУСЕЙНОВ М.К. и др. Получение пленок твердых растворов (SiC) 

Имя заявителя: Дагестанский государственный университет (RU) 
Изобретатели: Курбанов Маликаждар Курбанович (RU)
Билалов Билал Аругович (RU)
Сафаралиев Гаджимет Керимович (RU) 
Патентообладатели: Дагестанский государственный университет (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC)1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC).


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"