Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОДИОДОВ НА КРИСТАЛЛАХ АНТИМОНИДА ИНДИЯ n - ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

Номер публикации патента: 2331950

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007105172/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/18   H01L021/265    
Аналоги изобретения: RU 2056671 C1, 20.03.1996. SU 1589963 A1, 10.07.1996. RU 2069028 C1, 10.11.1996. SU 1265894 A1, 11.04.1985. JP 63136579 A, 08.06.1988. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU) 
Изобретатели: Астахов Владимир Петрович (RU)
Гиндин Павел Дмитриевич (RU)
Евстафьева Наталья Игоревна (RU)
Ежов Виктор Петрович (RU)
Карпов Владимир Владимирович (RU)
Соловьёва Галина Сергеевна (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Московский завод "Сапфир" (RU) 

Реферат


Способ изготовления фотодиодов на кристаллах антимонида индия n-типа проводимости включает подготовку пластины исходного кристалла антимонида индия, формирование р-n перехода имплантацией ионов бериллия с постимплантационным отжигом, нанесение защитной и пассивирующей диэлектрических пленок и формирование контактной системы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"