|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТАНОВКА НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ РАСПЛАВА |  |
Номер публикации патента: 2331722 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B011/00 | | Аналоги изобретения: | Козлов Ю.Ф., Зотов В.В. Структуры кремния на сапфире: технология, свойства, методы контроля, применение. - М.: МИЭТ, 2004, с.140. RU 2289641 C1, 20.12.2006. RU 2046159 C1, 20.10.1995. RU 2040598 C1, 25.07.1995. RU 2019585 C1, 15.09.1994. US 6071339 A, 06.06.2000. |
| Имя заявителя: | Скубилин Михаил Демьянович (RU) | | Изобретатели: | Скубилин Михаил Демьянович (RU) | | Патентообладатели: | Скубилин Михаил Демьянович (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к автоматическим средствам направленной кристаллизации полупроводников. Сущность изобретения: установка направленной кристаллизации расплава содержит вакуумную камеру, теплоизоляционную камеру, размещенную в вакуумной камере, блок электрического питания, блок управления, датчики глубины вакуума и температуры, источник тепловой энергии, лодочку с шихтой полупроводника, электромеханический привод перемещения лодочки, оптический канал связи, задатчики значений глубины вакуума и
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента