|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ МЕТОДОМ ОТФ |  |
Номер публикации патента: 2330127 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B013/18 C30B013/28 C30B013/10 C30B013/34 C30B029/08 | | Аналоги изобретения: | BYKOVA S.V. et al. The experimental-numerical investigation of instability of faceted Ge doped by Sb growth on the base of AHP method. "Journal of Crystal Growth", vol.275, 2005, p.p.229-236. SU 1800854 A1, 20.06.1996. BYKOVA S.V. et al. Features of mass transfer for the laminar melt flow along the interface. "Journal of Crystal Growth", vol.237-239, 2002, p.p.1886-1891. |
| Имя заявителя: | ООО Научно-Производственное Предприятие "ОТФ-Техно" (RU) | | Изобретатели: | Быкова Светлана Викторовна (RU)
Голышев Владимир Дмитриевич (RU)
Гоник Михаил Александрович (RU)
Цветовский Владимир Борисович (RU) | | Патентообладатели: | ООО Научно-Производственное Предприятие "ОТФ-Техно" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав. Способ включает выращивания легированных монокристаллов германия из расплава в тигле на кристаллографически ориентированную затравку диаметром, равным внутреннему диаметру тигля, в условиях теплового осевого потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ, с использованием фонового нагревателя и погруженного в расплав д
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента