

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СЕРИЙНЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАЛЛИЙ - СКАНДИЙ - ГАДОЛИНИЕВЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ

Номер публикации патента: 2324018

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2006111424/15

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	C30B015/04 C30B029/28 H01S003/11 H01S003/16
Аналоги изобретения:	SU 1667587 A1, 27.01.1995. SU 1099802 A1, 15.02.1986. SU 1595023 A1, 27.03.1999. SU 1735949 A1, 23.05.1992. FRATELLO V.J. et al. Growth of congruently melting gadolinium scandium gallium garnet. "J. Cryst. Growth", 1987, 80, N1, 26-32, РЖ «Электроника», 1987, реферат № 7Г468.

Имя заявителя:	Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") (RU)
Изобретатели:	Титов Александр Николаевич (RU) Крутова Лариса Ивановна (RU) Ветров Василий Николаевич (RU) Игнатенков Борис Александрович (RU) Миронов Игорь Алексеевич (RU)
Патентообладатели:	Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") (RU)

Реферат

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра. Серийный способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов осуществляют методом Чохральского из расплава исходной шихты, представляющей собой полученный методом твердофазного синтеза галлий-скандий-гадолиниевый гранат конгруэнтно плавящегося состава с добавками оксида магния и оксида хрома, обеспечивающими концентрацию кат

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"