|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2324017 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B013/20 C30B029/06 C30B029/66 | | Аналоги изобретения: | US 4197157 А, 08.04.1980. RU 95106567 А, 27.09.1997. DE 1544302 A1, 19.03.1970. US 3414388 А, 03.12.1968. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт токов высокой частоты им. В.П. Вологдина" (ФГУП ВНИИТВЧ им. В.П. Вологдина) (RU) | | Изобретатели: | Горюшин Георгий Александрович (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт токов высокой частоты им. В.П. Вологдина" (ФГУП ВНИИТВЧ им. В.П. Вологдина) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области получения профилированных монокристаллов кремния, на основе которых могут изготавливаться полупроводниковые приборы нового поколения. Выращивание монокристаллов кремния осуществляют методом вертикальной бестигельной зонной плавки, включающим создание на расположенном вертикально исходном слитке кремния капли расплава с помощью индуктора, затравление выращиваемого монокристалла на затравке, в виде ориентированного в направлении [111] монокристалла кремния, разращива
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента