Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАЛЛИЙ - СКАНДИЙ - ГАДОЛИНИЕВЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ

Номер публикации патента: 2321689

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2006103043/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/04   C30B029/28   H01S003/11   H01S003/16    
Аналоги изобретения: SU 1667587 A1, 27.01.1995. SU 1099802 A1, 15.02.1986. SU 1595023 A1, 27.03.1999. FRATELLO V.J. et al. Growth of congmently melting gadolinium scandium gallium garnet. "J. Cryst. Growth", 1987, 80, N1, 26-32, РЖ «Электроника», 1987, реферат №7Г468. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") (RU) 
Изобретатели: Титов Александр Николаевич (RU)
Крутова Лариса Ивановна (RU)
Ветров Василий Николаевич (RU)
Игнатенков Борис Александрович (RU)
Миронов Игорь Алексеевич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра. Кристаллы выращивают методом Чохральского из расплава исходной шихты, содержащей смесь оксидов металлов, в качестве которых используют полученный методом твердофазного синтеза галлий-скандий-гадолиниевый гранат конгруэнтно плавящегося состава с добавками оксида магния и оксида хрома, обеспечивающими концентрацию катионов хрома и магния в р


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"