Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Номер публикации патента: 2320787

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2006118956/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B007/10   C30B029/16    
Аналоги изобретения: RU 2198250 C1, 10.02.2003. US 3201209 A, 18.08.1965. ЛУКИНА М.М. и др. Кинетика кристаллизации цинкита в гидротермальных условиях. В сб. «Рост кристаллов», т.9. - М.: Наука, 1972, с.48-51. CROXALL D.F. et al. Hydrothermal growth and investigation of Li-doped zinc oxide crystal of high purity and perfection. J. Cryst. Growth. Vol.22, N2, 1974, p.117-124. 

Имя заявителя: Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) 
Изобретатели: Лютин Владимир Иванович (RU)
Кортунова Евгения Васильевна (RU)
Шапиро Аркадий Яковлевич (RU) 
Патентообладатели: Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) 

Реферат


Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, которые могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники. Способ выращивания кристаллов оксида цинка в гидротермальных условиях заключается в перекристаллизации шихты из раствора едкого калия с добавлением ионов Li+ в герметичных сосудах из коррозионно-стойкого материла на ориетированные параллельно моноэдрическим граням (0001) зат


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"