|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА |  |
Номер публикации патента: 2320404 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | B01J003/06 C30B029/04 C01B031/06 | | Аналоги изобретения: | US 6129900 А, 10.10.2000. RU 2254910 С2, 27.06.2005. US 6030595 A, 29.02.2000. SUMIYA H. et al. High-pressure synthesis of high-purity diamond crystal. Diamond and Related Materials, vol.5, №11, 1996, р.1359-1365, STN БД CA, AN 125:234624, abstract. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГУ ТИСНУМ) (RU) | | Изобретатели: | Терентьев Сергей Александрович (RU)
Бланк Владимир Давыдович (RU)
Носухин Сергей Анатольевич (RU)
Кузнецов Михаил Сергеевич (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГУ ТИСНУМ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов алмаза и может быть использовано для получения монокристаллов, предназначенных для изготовления наковален алмазных камер высокого давления. Способ выращивания монокристаллов алмаза в области его термодинамической стабильности осуществляют на затравочном кристалле, который отделяют от источника углерода металлом-растворителем, в качестве которого используют сплав железа, алюминия и углерода, при создании градиента температур между источник
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента