|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ АНТИФЕРРОМАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ |  |
Номер публикации патента: 2318262 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01F001/40 C30B029/22 | | Аналоги изобретения: | CN 1383161 A, 04.12.2002. JP 03-035507 A, 15.02.1991. JP 01-160897 A, 23.06.1998. JP 56-032398 A, 01.04.1981. |
| Имя заявителя: | Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) (RU) | | Изобретатели: | Нипан Георгий Донатович (RU)
Кецко Валерий Александрович (RU)
Кольцова Татьяна Николаевна (RU)
Стогний Александр Иванович (BY)
Янушкевич Казимир Иосифович (BY)
Кузнецов Николай Тимофеевич (RU) | | Патентообладатели: | Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов. Может использоваться в магнитоэлектронике. Полупроводниковый антиферромагнитный материал характеризуется температурой перехода в парамагнитное состояние TN=600-650 К и представляет собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта Zn1-XCoXO, где Х=0,01÷0,25; или гомогенный твердый раствор оксидов цинка, кобальта и лантаноида Zn1-X-YCoXLnYO,
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента