|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 2315825 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/00 C30B029/38 | | Аналоги изобретения: | US 2003013222 A1, 16.01.2003. SU 1136501 A1, 20.11.1996. JP 55140799 A, 04.11.1980. JP 56045899 A, 24.04.1981. GB 1536586 A, 20.12.1978. |
| Имя заявителя: | ООО "Галлий-Н" (RU) | | Изобретатели: | Кондратьев Алексей Викторович (RU)
Макаров Юрий Николаевич (RU)
Сегаль Александр Соломонович (RU)
Сидько Александр Павлович (RU)
Смирнов Сергей Александрович (RU) | | Патентообладатели: | ООО "Галлий-Н" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов на подложке путем химических реакций реакционноспособных газов и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Способ предусматривает подачу к контейнеру с источником галлия хлористого водорода с последующей подачей к поверхности подложки смеси газов, содержащей газообразный хлорид галлия, аммиак и несущий газ.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента