|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ БЕССВИНЦОВОЙ КОНТАКТНО - РЕАКТИВНОЙ ПАЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА К КОРПУСУ |  |
Номер публикации патента: 2313156 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/52 | | Аналоги изобретения: | RU 2212730 С2, 20.09.2003. RU 2167469 С2, 20.05.2001. US 2004096688 А1, 20.05.2004. US 4972988 A, 27.11.1990. EP 0316026 А1, 17.05.1989. EP 0788150 A2, 06.08.1997. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU),ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка" (RU) | | Изобретатели: | Зенин Виктор Васильевич (RU)
Бокарев Дмитрий Игоревич (RU)
Рягузов Александр Владимирович (RU)
Кастрюлев Александр Николаевич (RU)
Хишко Ольга Владимировна (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса и пайку к основанию корпуса.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента