|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА |  |
Номер публикации патента: 2308789 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L039/24 | | Аналоги изобретения: | RU 2234167 C1, 10.08.2004. RU 2199505 C2, 27.02.2003. SU 1736312 A1, 10.04.1995. EP 0535676 A2, 07.04.1993. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный инстиут электронной техники (технический университет) (RU) | | Изобретатели: | Волик Нина Николаевна (RU)
Григорашвили Юрий Евгеньевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный инстиут электронной техники (технический университет) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к отрасли криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении толстопленочных структур на основе высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) и элементов, использующих эффект высокотемпературной сверхпроводимости. Сущность изобретения: способ изготовления толстопленочной структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника включает нанесение на подложку промежуточного слоя Bi2О3, сушку и термообработку.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента