|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 2308784 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/203 | | Аналоги изобретения: | RU 2209260 С2, 27.07.2003. RU 2267565 С2, 20.05.2005. US 3993511 А, 23.11.1976. US 4421576 А, 20.12.1983. WO 97/47049 A1, 11.12.1997. |
| Имя заявителя: | ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИРЭ РАН) (RU) | | Изобретатели: | Айтхожин Сабир Абенович (RU) | | Патентообладатели: | ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИРЭ РАН) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, а именно к материалам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов широкого класса применения с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Сущность изобретения: в качестве материалов подложек для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия используют интерметаллические соединения, выбранные из группы, состоящей из арсенида олова SnAs, антимонида палладия PdSb, полуантимонида марганца Mn2Sb, станната никеля Ni3Sn2, алюмина
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента