Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ЧЕТЫРЕХКОНТАКТНЫЙ КОММУТАТОР НА ОСНОВЕ КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ КВАНТОВЫХ ОБЛАСТЕЙ

Номер публикации патента: 2304825

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2006111683/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/105    
Аналоги изобретения: Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М.: Мир, 1991, с.579, фиг.10.18.4. Преснухин Л.Н. и др. Расчет элементов цифровых устройств. - М.: Высшая школа, 1982, с.181, фиг.3.77. US 4554569 А, 19.11.1985. RU 2257642 C1, 27.07.2005. SU 1549419 A1, 10.07.1996. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Таганрогский государственный радиотехнический университет" (ТРТУ) (RU) 
Изобретатели: Рындин Евгений Адальбертович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Таганрогский государственный радиотехнический университет" (ТРТУ) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники. Для повышения быстродействия и расширения функциональных возможностей в интегральный двунаправленный четырехконтактный коммутатор на основе комплементарных квантовых областей, содержащий полуизолирующую GaAs-подложку, AlGaAs-области первого и второго типа проводимости, две AlGaAs-области спейсеров собственной проводимости, две GaAs-области собственной проводимости, две управляющие металлические шины, две двунаправл


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"