|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА |  |
Номер публикации патента: 2298260 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L039/24 | | Аналоги изобретения: | US 6388268 B1, 14.05.2002. US 5342826 А, 30.08.1994. RU 2080693 C1, 27.05.1997. JP 9321358 А, 12.12.1997. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU) | | Изобретатели: | Григорашвили Юрий Евгеньевич (RU)
Бухлин Александр Викторович (RU)
Мингазин Владислав Томасович (RU) | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных СКВИДов. Сущность изобретения: в способе изготовления сверхпроводникового прибора, включающем формирование джозефсоновского перехода в высокотемпературной пленке на монокристаллической подложке MgO при помощи атомно-силового микроскопа, материалом высокотемпературной сверхпроводниковой пленки является (Bi, Pb)2Sr2Ca2Cu3О10, на которой методом фотолитографии изготавливаю
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента