|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ A |  |
Номер публикации патента: 2297690 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/208 | | Аналоги изобретения: | RU 2031477 C1, 20.03.1995. SU 1788871 A1, 20.01.1996. JP 2003168711 A, 13.06.2003. US 6531374 B2, 11.03.2003. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) | | Изобретатели: | Солдатенков Федор Юрьевич (RU) | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В5 методами эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры методом эпитаксии включает выращивание эпитаксиального слоя заданной толщины h0, рассогласованного по параметру решетки с материалом, на котором осуществляют выращивание, при этом предварительно для данной ростовой системы строят экспериментальную градуировочную кривую зависимости максимальной толщины слоя hmax,
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента