|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНА |  |
Номер публикации патента: 2293400 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L039/24 H01L021/02 | | Аналоги изобретения: | Микроэлектроника. Учеб. пособие для втузов. Под ред. КОЛЕДОВА Л.А. Кн.4. КОЛЕДОВ Л.А., ИЛЬИНА Э.М. Гибридные интегральные микросхемы. - М.: Высшая школа, 1987, с.33-35. SU 1556521 A1, 20.07.1996. RU 2040131 C1, 20.07.1995. US 2002185752 A, 12.12.2002. US 4751563 A, 14.06.1988. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" (RU) | | Изобретатели: | Курбанова Татьяна Николаевна (RU)
Гвоздаева Вера Сергеевна (RU)
Павлов Анатолий Юрьевич (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к тонкопленочной технологии, в частности к изготовлению гибридных интегральных микросхем (ГИМС). Технический результат - повышение качества защиты и электроизоляции поверхности топологического рельефа рисунка ГИМС, снижающее отказы из-за возможных замыканий на участках пересечения элементов рисунка навесными монтажными проводниками и преждевременной деградации физико-химических свойств токоведущих дорожек, а также повышение технологичности изготовления и увеличение конструкт
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента