На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АМОРФНЫХ КРЕМНИЕВЫХ НАНОКЛАСТЕРОВ, ВСТРОЕННЫХ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ МАТРИЦУ | |
Номер публикации патента: 2292606 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/205 | Аналоги изобретения: | Nae-Man Park et all. Physical Review Letters, 2001, V.86, p.1355-1357. RU 2214359 C1, 20.06.2002. EP 1070768 A1, 24.01.2001. US 6444545 В1, 03.09.2002. JP 2002110663 А, 12.04.2002. |
Имя заявителя: | Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) | Изобретатели: | Бердников Аркадий Евгеньевич (RU) Попов Александр Афанасьевич (RU) Черномордик Владимир Дмитриевич (RU) | Патентообладатели: | Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу, разложением кремнийсодержащей газовой смеси и может быть использовано в твердотельной электронике. Сущность изобретения: способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу, осуществляют путем разложения смеси моносилана и источника азота в плазме тлеющего разряда с образова
|