|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ПОЛОЖЕНИЯ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В УСТАНОВКАХ ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И УСТРОЙСТВО РЕГИСТРАЦИИ ПОЛОЖЕНИЯ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В УСТАНОВКАХ ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2289641 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B011/00 | | Аналоги изобретения: | БАГДАСАРОВ Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. - М.: Физматлит, 2004, с.148-151. DD 223810 A1, 19.06.1985. JP 63185884 A, 01.08.1988. US 5037621 A, 06.08.1991. |
| Имя заявителя: | Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Качалов Олег Викторович (RU)
Багдасаров Хачик Саакович (RU)
Мунчаев Анзор Ибрагимович (RU)
Раевский Владимир Леонидович (RU)
Семёнов Владимир Борисович (RU) | | Патентообладатели: | Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области производства монокристаллов и может быть использовано, преимущественно, при выращивании высокотемпературных монокристаллов из расплава в установках горизонтальной направленной кристаллизации. Сущность изобретения: положение фронта кристаллизации осуществляют по изменениям контраста яркости теплового излучения системы расплав-кристалл, проходящего через формирователь действительного изображения поверхности этой системы на рабочую плоскость дифференциального фотоприе
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента