|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА |  |
Номер публикации патента: 2287621 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B033/02 C30B029/34 C30B015/02 | | Аналоги изобретения: | RU 2126853 C1, 27.02.1999. SHIMAMURA К. et al. Growth and characterization of lanthanum gallium silicate La |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛС" (RU) | | Изобретатели: | Аленков Владимир Владимирович (RU)
Бузанов Олег Алексеевич (RU)
Медведев Андрей Валерьевич (RU)
Сахаров Сергей Александрович (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛС" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения кристаллов с триклинной сингонией. Сущность изобретения: монокристаллы лантангаллиевого силиката, выращенные методом Чохральского из иридиевого тигля, подвергают двухстадийной термообработке. Монокристаллы предварительно подвергают вакуумному отжигу при давлении 1·10-2-1·10-4 Па и температуре 600-1200°С в течение 0,5-10 часов, а затем проводят их изотермическую выдержку на воздухе при температуре 300-350°С в течение 0,5-48 часов.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента