|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКОВОГО ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО МАГНИТНОГО ЭКРАНА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2281586 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L039/24 | | Аналоги изобретения: | ЛИ С.Р. и др. Проблемы и перспективы развития методов получения ВТСП материалов из расплавов. Неорганические материалы, 1993, т.29, №1, стр.3-17. US 5409891 А, 25.04.1995. US 5373275 А, 13.12.1994. JP 2192615 А, 30.07.1990. RU 2089973 С1, 10.09.1897. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшнго профессионального образования "Марийский государственный университет" (RU) | | Изобретатели: | Буев Андрей Романович (RU)
Игумнов Владимир Николаевич (RU)
Иванов Валерий Васильевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшнго профессионального образования "Марийский государственный университет" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих элементов из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Техническим результатом изобретения является повышение качества экрана, величины максимального поля за счет кольцевого ориентирования структуры ВТСП материала и увеличения кольцевого критического тока.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента